MOSFET de potencia Microchip, Tipo N-Canal DN2625DK6-G, VDSS 250 V, ID 1.1 A, DFN, Reducción de 8 pines, 1, config.
- Código RS:
- 916-3725P
- Referência do fabricante:
- DN2625DK6-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 916-3725P
- Referência do fabricante:
- DN2625DK6-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | DN2625 | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.04nC | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Longitud | 5.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.85mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie DN2625 | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.04nC | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Longitud 5.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.85mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistores MOSFET de canal N DN2625
El Microchip DN2625 es un transistor MOSFET de modo de vaciado umbral bajo (normalmente encendido) que emplea una estructura vertical avanzada DMOS. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.
Características
Baja tensión umbral de compuerta
Diseñados para accionamiento por fuente
Pérdidas de conmutación bajas
Baja capacitancia eficaz de salida
Diseñados para cargas inductivas