MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 911-0711
- Referência do fabricante:
- SPB80P06PGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
1 650,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 20 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,65 € | 1 650,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 911-0711
- Referência do fabricante:
- SPB80P06PGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 23mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 340W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 115nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.57mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Anchura | 9.45 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 340W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 115nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.57mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.31mm | ||
Anchura 9.45 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon SPB80P06PGATMA1, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80P04P4L04ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80P04P407ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80P04P405ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80P04P4L06ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB80P04P4L08ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines