MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG70N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 70 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 903-4475
- Referência do fabricante:
- SiHG70N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 903-4475
- Referência do fabricante:
- SiHG70N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | EF | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 38mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 253nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 520W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.31 mm | |
| Altura | 20.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie EF | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 38mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 253nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 520W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.31 mm | ||
Altura 20.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor
Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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