MOSFET, N-Canal Infineon IPP60R099C6XKSA1, VDSS 650 V, ID 38 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
898-6895
Referência do fabricante:
IPP60R099C6XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

38A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS C6

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

99mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

119nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V, +30V

Tensión directa Vf

900mV

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.9mm

Longitud

10.65mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

16.15mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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