MOSFET onsemi FDB024N08BL7, VDSS 80 V, ID 229 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, , config. Simple

Código RS:: 864-7941P
Referência do fabricante:: FDB024N08BL7
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDB024N08BL7, VDSS 80 V, ID 229 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, , config. Simple

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Preço Unidade (fornecido em bobina) As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua

3,60 €

Unidades	Por unidade
10 - 98	3,60 €
100 - 248	2,895 €
250 - 498	2,72 €
500 +	2,565 €

Código RS:: 864-7941P
Referência do fabricante:: FDB024N08BL7
Fabricante:: onsemi

FDB024N08BL7, N-Channel PowerTrench MOSFET 80V, 229A, 2.4mOhm
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	229 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	246 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	137 nC a 40 V
Longitud	10.2mm
Ancho	9.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Altura	4.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDB024N08BL7, VDSS 80 V, ID 229 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor