MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

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Código RS:
860-7523
Referência do fabricante:
STH150N10F7-2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

H2PAK

Serie

DeepGate, STripFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

117nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

10.57mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.8mm

Estándar de automoción

No

STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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