MOSFET Microchip LND150N3-G, VDSS 500 V, ID 30 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de vaciado de canal N de Microchip son adecuados para aplicaciones que requieren alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida.

Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia
Libre de ruptura secundaria
Baja fuga de salida y entrada

Interruptores normalmente activados
Relés de estado sólido
Convertidores
Amplificadores lineales
Fuente de corriente constante
Circuitos de alimentación:
Telecomunicaciones

El transistor de modo de vaciado de canal N (normalmente encendido) Microchip LND150 utiliza tecnología DMOS lateral. La puerta está protegida contra ESD. Es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente encendidos, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampa de tensión y amplificación. Tiene una tensión de drenador a fuente y drenador a puerta de 500V V y una resistencia de estado de drenador a fuente estática de 1 1kΩ.

Libre de ruptura secundaria
Bajo requisito de potencia de excitación
Fácil conexión en paralelo
Estabilidad térmica excelente
Diodo de drenador de fuente integral
Alta impedancia de entrada y CISS bajo
Sin plomo (Pb)
Encapsulado TO-92 de 3 cables

Transistores MOSFET, Microchip