MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 827-4079P
- Referência do fabricante:
- IRFR5410TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal 20 unidades (fornecido em tira contínua)*
17,54 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 11.060 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 20 + | 0,877 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 827-4079P
- Referência do fabricante:
- IRFR5410TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 205mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 66W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 205mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 66W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de canal P, de 100V a 150V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR5410TRPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon AUIRFR6215TRL, VDSS 150 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon AUIRFR5410TRL, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR5410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 13 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -150 V, ID -13 A, TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR6215TRLPBF, VDSS -150 V, ID -13 A, TO-252