MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFP260MPBF, VDSS 200 V, ID 50 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
827-4013
Referência do fabricante:
IRFP260MPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

234nC

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.2 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

16.13mm

Altura

21.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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