MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 950 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 827-0115
- Referência do fabricante:
- BSD235NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 250 unidades)*
40,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 8250 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 250 + | 0,162 € | 40,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 827-0115
- Referência do fabricante:
- BSD235NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 950mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.32nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Anchura | 1.25 mm | |
| Longitud | 2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.8mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 950mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.32nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Anchura 1.25 mm | ||
Longitud 2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.8mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™2 de Infineon
La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal BSD235NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 950 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal 2N7002DWH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 320 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Nexperia, Tipo P-Canal, VDSS 50 V, ID 160 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 870 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado