MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 827-0002
- Referência do fabricante:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 500 unidades)*
39,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
- Mais 15.500 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | 0,078 € | 39,00 € |
| 1000 - 2000 | 0,074 € | 37,00 € |
| 2500 - 4500 | 0,067 € | 33,50 € |
| 5000 + | 0,066 € | 33,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 827-0002
- Referência do fabricante:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.96V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Altura | 0.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.25 mm | |
| Longitud | 2mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.96V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Altura 0.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.25 mm | ||
Longitud 2mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™
Transistores MOSFET, Infineon
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal 2N7002DWH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 950 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal BSD235NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 950 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal 2N7002BKS,115, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NTJD5121NT1G, VDSS 60 V, ID 300 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 1.3 A, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado