MOSFET onsemi FQD7P06TM, VDSS 60 V, ID 5.4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
671-1030
Referência do fabricante:
FQD7P06TM
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

451 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2500 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,3 nC a 10 V

Longitud

6.73mm

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

6.22mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.39mm

MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor


La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida.

Características y ventajas:


• interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión
• Diseño de celdas de alta densidad
• corriente de saturación alta
• conmutación superior
• Gran rendimiento robusto y fiable
• Tecnología DMOS

Aplicaciones:


• Conmutación De Carga
• Convertidor CC/CC
• Protección de la batería
• Control de administración de energía
• Control del motor de CC


Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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