MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal IRF7319TRPBF, VDSS 30 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*

17,02 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 200 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
  • Mais 3040 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
20 - 800,851 €17,02 €
100 - 1800,655 €13,10 €
200 - 4800,613 €12,26 €
500 - 9800,571 €11,42 €
1000 +0,528 €10,56 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
826-8879
Referência do fabricante:
IRF7319TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

98mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Tensión directa Vf

-0.78V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon


Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Links relacionados