MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7303TRPBF, VDSS 30 V, ID 4.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 826-8841
Referência do fabricante:: IRF7303TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7303TRPBF, VDSS 30 V, ID 4.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 826-8841
Referência do fabricante:: IRF7303TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	80mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	16.7nC
	Tensión directa Vf	1V
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	5mm
	Altura	1.5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4 mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.9A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SOIC
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.7nC
	Tensión directa Vf 1V
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 5mm
	Altura 1.5mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4 mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 4,9 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7303TRPBF

Este MOSFET de canal N está diseñado para la gestión eficaz de la energía en diversas aplicaciones electrónicas. Con una corriente de drenaje continua máxima de 4,9 A y una tensión de drenaje-fuente de 30 V, ofrece un alto rendimiento en distintos entornos. Su capacidad de montaje en superficie lo hace adecuado para diseños de circuitos compactos en los que la eficiencia de espacio y el rendimiento térmico son importantes. Este dispositivo demuestra fiabilidad y eficacia en automatización y electrónica.

Características y ventajas

• Eficiencia mejorada con un bajo Rds(on) de 80 mΩ

• Alta capacidad de disipación de energía con un máximo de 2 W

• Integración de dos canales para aumentar la funcionalidad de los diseños

• Funcionamiento térmico robusto hasta +150°C para aplicaciones versátiles

• Optimizado para el funcionamiento en modo de mejora de la gestión de la energía

• El compacto encapsulado SOIC facilita la integración en las modernas placas de circuito impreso

Aplicaciones

• Se utiliza en circuitos de alimentación para regular la tensión

• Se emplea en sistemas de control de motores para un funcionamiento eficaz

• Apto para iluminación que requieren una conmutación robusta

• Integrado en la electrónica de consumo para mejorar la eficiencia energética

• Ideal para sistemas de automoción que requieren un rendimiento fiable

¿Cuál es la tensión puerta-fuente máxima de este dispositivo?

La tensión máxima de la fuente de puerta es de ±20 V, lo que garantiza la compatibilidad con diversos circuitos de control.

¿Cómo afecta el valor Rds(on) a la eficiencia?

Un Rds(on) más bajo reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia global en las aplicaciones.

¿Puede funcionar a temperaturas extremas?

Sí, funciona en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que resulta adecuado para entornos difíciles.

¿Con qué tipo de placas de circuito es compatible?

Está diseñado para placas de circuitos con tecnología de montaje en superficie (SMT), lo que permite un aprovechamiento eficaz del espacio.

¿Cómo debe abordarse la instalación de este componente?

Se debe tener cuidado de utilizar técnicas de soldadura adecuadas para evitar daños por calor y garantizar un ajuste seguro en la placa de circuito impreso.