MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN65D8LDW-7, VDSS 60 V, ID 200 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config.
- Código RS:
- 822-2602
- Referência do fabricante:
- DMN65D8LDW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- 822-2602
- Referência do fabricante:
- DMN65D8LDW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 400mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.43nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 400mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.43nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
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