MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 200 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
810-7499P
Referência do fabricante:
STB30NF20
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

STripFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

75mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.6mm

Anchura

9.35mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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