MOSFET onsemi FDB050AN06A0, VDSS 60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 809-0809P
Referência do fabricante:: FDB050AN06A0
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDB050AN06A0, VDSS 60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 809-0809P
Referência do fabricante:: FDB050AN06A0
Fabricante:: onsemi

FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0, N-Channel PowerTrench MOSFET 60V 80A 5mOhm Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	11 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	245 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	61 nC a 10 V
Ancho	9.65mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.83mm

MOSFET onsemi FDB050AN06A0, VDSS 60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor