Referência do fabricante

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTF6P02T3G, VDSS 20 V, ID 8.4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

Código RS:: 808-4138
Número do artigo Distrelec:: 304-45-677
Referência do fabricante:: NTF6P02T3G
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTF6P02T3G, VDSS 20 V, ID 8.4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:: 808-4138
Número do artigo Distrelec:: 304-45-677
Referência do fabricante:: NTF6P02T3G
Fabricante:: onsemi

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SOT-223
	Serie	NTF6P02
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	70mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	15nC
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	8 V
	Disipación de potencia máxima Pd	8.3W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	3.7 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.7mm
	Altura	1.65mm
	Estándar de automoción	AEC

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	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8.4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SOT-223
	Serie NTF6P02
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC
	Tensión directa Vf -1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V
	Disipación de potencia máxima Pd 8.3W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 3.7 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.7mm
	Altura 1.65mm
	Estándar de automoción AEC

MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTF6P02T3G, VDSS 20 V, ID 8.4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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