MOSFET onsemi NVF6P02T3G, VDSS 20 V, ID 8,4 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 805-1996
Referência do fabricante:: NVF6P02T3G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NVF6P02T3G, VDSS 20 V, ID 8,4 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 805-1996
Referência do fabricante:: NVF6P02T3G
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	70 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Disipación de Potencia Máxima	8,3 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Longitud	6.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	3.7mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	15 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.65mm

MOSFET onsemi NVF6P02T3G, VDSS 20 V, ID 8,4 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor