MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTR1P02LT3G, VDSS 20 V, ID 1.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
808-0060
Referência do fabricante:
NTR1P02LT3G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

350mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Disipación de potencia máxima Pd

400mW

Tensión directa Vf

-1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.1nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.4 mm

Altura

1.01mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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