MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS8638, VDSS 40 V, ID 18 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 806-3664
- Referência do fabricante:
- FDS8638
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 5 unidades)*
6,10 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 07 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,22 € | 6,10 € |
| 50 - 95 | 1,052 € | 5,26 € |
| 100 - 495 | 0,912 € | 4,56 € |
| 500 - 995 | 0,802 € | 4,01 € |
| 1000 + | 0,73 € | 3,65 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 806-3664
- Referência do fabricante:
- FDS8638
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 61nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Anchura | 3.9 mm | |
| Altura | 1.575mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 61nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 4.9mm | ||
Anchura 3.9 mm | ||
Altura 1.575mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 18 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS86540, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 12.8 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 8.2 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 10.8 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDS8447, VDSS 40 V, ID 12.8 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi FDS4685, VDSS 40 V, ID 8.2 A, Mejora, SOIC de 8 pines