MOSFET onsemi FDMC86116LZ, VDSS 100 V, ID 7,5 A, Power 33 de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 806-3501P
Referência do fabricante:: FDMC86116LZ
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDMC86116LZ, VDSS 100 V, ID 7,5 A, Power 33 de 8 pines, , config. Simple

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Preço Unidade (fornecido em bobina)**. As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua

0,766 €

470 Disponível para entrega em 4 dia(s) útil(eis).*

* As datas de entrega podem variar em função da quantidade escolhida e do endereço de entrega.

Entrega GRATUITA para encomendas superiores a 80,00 €

Unidades	Por unidade
100 - 240	0,66 €
250 - 490	0,572 €
500 - 990	0,503 €
1000 +	0,458 €

**preço indicativo

Código RS:: 806-3501P
Referência do fabricante:: FDMC86116LZ
Fabricante:: onsemi

FDMC86116LZ, N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V 7.5A 103mOhm Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	Power 33
Serie	PowerTrench
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	178 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	19 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	3.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	2 nC a 4,5 V, 4 nC a 10 V
Ancho	3.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.75mm

MOSFET onsemi FDMC86116LZ, VDSS 100 V, ID 7,5 A, Power 33 de 8 pines, , config. Simple

Entrega GRATUITA para encomendas superiores a 80,00 €

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor