MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NDT014L, VDSS 60 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
806-1255
Referência do fabricante:
NDT014L
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

NDT

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión directa Vf

0.85V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

3W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.7mm

Longitud

6.7mm

Anchura

3.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor


Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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