MOSFET, Tipo N-Canal onsemi 2N7002T, VDSS 60 V, ID 115 mA, Mejora, SC-89 de 3 pines
- Código RS:
- 805-1132
- Referência do fabricante:
- 2N7002T
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 805-1132
- Referência do fabricante:
- 2N7002T
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 115mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SC-89 | |
| Serie | 2N7002T | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 0.98 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 1.7mm | |
| Altura | 0.78mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 115mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SC-89 | ||
Serie 2N7002T | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 0.98 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 1.7mm | ||
Altura 0.78mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
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En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
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