MOSFET, N-Canal onsemi NTE4153NT1G, VDSS 20 V, ID 915 mA, Mejora, SC-89 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
184-1203
Referência do fabricante:
NTE4153NT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

915mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

NTE

Encapsulado

SC-89

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

950mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

300mW

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.82nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

1.7mm

Altura

800μm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

950μm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
Small Signal MOSFET 20V 915mA 230 mOhm Single N-Channel SC-89 with ESD Protection

Low RDS(on) Improving System Efficiency

Low Threshold Voltage, 1.5V Rated

ESD Protected Gate

Applications:

Load/Power Switches

Power Supply Converter Circuits

Battery Management

Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc.

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