MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTE4153NT1G, VDSS 20 V, ID 915 mA, Mejora, SC-89 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 100 unidades)*

11,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 4800 unidade(s) para enviar a partir do dia 22 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
100 - 4000,11 €11,00 €
500 - 9000,095 €9,50 €
1000 +0,082 €8,20 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
184-1203
Referência do fabricante:
NTE4153NT1G
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

915mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

NTE

Encapsulado

SC-89

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

950mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

300mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.82nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

1.7mm

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
Small Signal MOSFET 20V 915mA 230 mOhm Single N-Channel SC-89 with ESD Protection

Low RDS(on) Improving System Efficiency

Low Threshold Voltage, 1.5V Rated

ESD Protected Gate

Applications:

Load/Power Switches

Power Supply Converter Circuits

Battery Management

Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.