MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTE4153NT1G, VDSS 20 V, ID 915 mA, Mejora, SC-89 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 100 unidades)*

9,40 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 5300 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
100 - 4000,094 €9,40 €
500 - 9000,081 €8,10 €
1000 +0,07 €7,00 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
184-1203
Referência do fabricante:
NTE4153NT1G
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

915mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SC-89

Serie

NTE

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

950mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.82nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

6 V

Disipación de potencia máxima Pd

300mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

0.95 mm

Altura

0.8mm

Longitud

1.7mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
Small Signal MOSFET 20V 915mA 230 mOhm Single N-Channel SC-89 with ESD Protection

Low RDS(on) Improving System Efficiency

Low Threshold Voltage, 1.5V Rated

ESD Protected Gate

Applications:

Load/Power Switches

Power Supply Converter Circuits

Battery Management

Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc.

Links relacionados