MOSFET onsemi RFD3055LESM9A, VDSS 60 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 802-2159P
Referência do fabricante:: RFD3055LESM9A
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi RFD3055LESM9A, VDSS 60 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 802-2159P
Referência do fabricante:: RFD3055LESM9A
Fabricante:: onsemi

RFD3055LE, RFD3055LESM, N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V 11A 107mOhm Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
Product Change Notification

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	107 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	38 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Material del transistor	Si
Ancho	6.22mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	9,4 nC a 10 V
Longitud	6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	2.39mm

MOSFET onsemi RFD3055LESM9A, VDSS 60 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor