MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFX64N50Q3, VDSS 500 V, ID 64 A, Mejora, PLUS247 de 3 pines
- Código RS:
- 801-1503
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-408
- Referência do fabricante:
- IXFX64N50Q3
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 801-1503
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-408
- Referência do fabricante:
- IXFX64N50Q3
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | PLUS247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 85mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1kW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 145nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.21 mm | |
| Altura | 21.34mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado PLUS247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 85mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1kW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 145nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.21 mm | ||
Altura 21.34mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3
Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.
Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
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