MOSFET IXYS IXFH18N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 18 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 801-1382
Referência do fabricante:: IXFH18N100Q3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFH18N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 18 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 801-1382
Referência do fabricante:: IXFH18N100Q3
Fabricante:: IXYS

IXFT18N100Q3, IXFH18N100Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.000 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	660 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	6.5V
Disipación de Potencia Máxima	830 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	90 nC a 10 V
Ancho	5.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	16.26mm

MOSFET IXYS IXFH18N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 18 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3