MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXTH12N100L, VDSS 1 kV, ID 12 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
168-4606
Referência do fabricante:
IXTH12N100L
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1kV

Serie

Linear

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

400W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

155nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

21.46mm

Longitud

16.26mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.3 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
DE

MOSFET de potencia de canal N, IXYS serie Linear


MOSFET de potencia de canal N diseñados específicamente para un funcionamiento lineal. Estos dispositivos ofrecen una mayor zona de funcionamiento seguro con polarización directa (FBSOA) para aumentar la resistencia y fiabilidad.

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