MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN4R6-60BS,118, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 798-2987
- Referência do fabricante:
- PSMN4R6-60BS,118
- Fabricante:
- Nexperia
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 4 unidades)*
10,632 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 468 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | 2,658 € | 10,63 € |
| 20 - 76 | 2,335 € | 9,34 € |
| 80 - 196 | 2,05 € | 8,20 € |
| 200 - 396 | 1,908 € | 7,63 € |
| 400 + | 1,848 € | 7,39 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 798-2987
- Referência do fabricante:
- PSMN4R6-60BS,118
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 211W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.5mm | |
| Longitud | 10.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 211W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.5mm | ||
Longitud 10.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
Transistores MOSFET, NXP Semiconductors
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R7-60BS,118, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R4-30BLE,118, VDSS 30 V, ID 120 A, TO-263, Mejora de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN4R3-30BL,118, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET Nexperia, Tipo N-Canal PSMN4R5-40BS,118, VDSS 40 V, ID 100 A, TO-263, Mejora de 3 pines, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- FET de nivel lógico TrenchMOS, Tipo N-Canal Nexperia BUK964R4-40B,118, VDSS 40 V, ID 75 A, Mejora, TO-263 de 3 pines