MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN4R3-30BL,118, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
798-2968
Referência do fabricante:
PSMN4R3-30BL,118
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

103W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.3mm

Anchura

11 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
PH

MOSFET de canal N, hasta 30V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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