MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal 25 unidades (fornecido em tira contínua)*

49,55 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 22 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
25 - 451,982 €
50 - 1201,784 €
125 - 2451,604 €
250 +1,526 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
795-6944P
Referência do fabricante:
STB60NF06LT4
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET II

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

35nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

9.35 mm

Altura

4.6mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics