MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 30 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 792-5892P
- Referência do fabricante:
- STL30N10F7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 792-5892P
- Referência do fabricante:
- STL30N10F7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 75W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.35mm | |
| Altura | 950μm | |
| Anchura | 5.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STripFET H7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 75W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.35mm | ||
Altura 950μm | ||
Anchura 5.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.