MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STB18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
792-5707P
Referência do fabricante:
STB18N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Serie

MDmesh M2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Altura

4.6mm

Anchura

9.35mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics


Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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