MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS462EN-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
787-9525
Referência do fabricante:
SQS462EN-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SQ Rugged

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

135mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Tensión directa Vf

0.82V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

3.4 mm

Longitud

3.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor


La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes


• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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