Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS462EN-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

Código RS:: 787-9525
Referência do fabricante:: SQS462EN-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQS462EN-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

6,98 €

Adicione 60 unidades para obter entrega gratuita

Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.

Últimas unidades em stock

Última(s) 5950 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição

Unidad(es)	Por unidade	Por Embalagem*
5 +	1,396 €	6,98 €

*preço indicativo

Código RS:: 787-9525
Referência do fabricante:: SQS462EN-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	PowerPAK 1212
	Serie	SQ Rugged
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	135mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	33W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	0.82V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.12mm
	Longitud	3.4mm
	Anchura	3.4 mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado PowerPAK 1212
	Serie SQ Rugged
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 135mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 33W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 0.82V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.12mm
	Longitud 3.4mm
	Anchura 3.4 mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor

La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes

• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101