Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

Código RS:: 170-8306
Referência do fabricante:: SQS462EN-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

783,00 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

Últimas unidades em stock

Última(s) 3000 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição

Unidad(es)	Por unidade	Por Bobina*
3000 +	0,261 €	783,00 €

*preço indicativo

Código RS:: 170-8306
Referência do fabricante:: SQS462EN-T1_GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	SQ Rugged
	Encapsulado	PowerPAK 1212
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	135mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	33W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	0.82V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	8nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	3.4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	3.4 mm
	Altura	1.12mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie SQ Rugged
	Encapsulado PowerPAK 1212
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 135mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 33W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 0.82V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 3.4mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 3.4 mm
	Altura 1.12mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor

La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes

• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101