Referência do fabricante

MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo N-Canal Vishay SQD25N06-22L_GE3, VDSS 60 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 787-9480
Referência do fabricante:: SQD25N06-22L_GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo N-Canal Vishay SQD25N06-22L_GE3, VDSS 60 V, ID 25 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

10,08 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

Últimas unidades em stock

Mais 25 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Última(s) 1880 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de fevereiro de 2026

Unidad(es)	Por unidade	Por Embalagem*
5 +	2,016 €	10,08 €

*preço indicativo

Código RS:: 787-9480
Referência do fabricante:: SQD25N06-22L_GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET de potencia TrenchFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	25A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	SQ Rugged
	Encapsulado	TO-252
	Tipo de montaje	Montaje en PCB
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.022Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	50nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±20 V
	Tensión directa Vf	1.5V
	Disipación de potencia máxima Pd	62W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	6.73mm
	Altura	2.38mm
	Anchura	6.22 mm
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET de potencia TrenchFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 25A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie SQ Rugged
	Encapsulado TO-252
	Tipo de montaje Montaje en PCB
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.022Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V
	Tensión directa Vf 1.5V
	Disipación de potencia máxima Pd 62W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 6.73mm
	Altura 2.38mm
	Anchura 6.22 mm
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor

La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes

• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101