Referência do fabricante

MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo N-Canal Vishay SQ2310ES-T1_BE3, VDSS 20 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 787-9443
Referência do fabricante:: SQ2310ES-T1_BE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET de potencia TrenchFET, Tipo N-Canal Vishay SQ2310ES-T1_BE3, VDSS 20 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:: 787-9443
Referência do fabricante:: SQ2310ES-T1_BE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia TrenchFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Serie	SQ Rugged
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.03Ω
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	8.5nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	±8 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	1.4 mm
	Certificaciones y estándares	IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC
	Longitud	3.04mm
	Altura	1.02mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de potencia TrenchFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Serie SQ Rugged
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.03Ω
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.5nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta ±8 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 1.4 mm
	Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC
	Longitud 3.04mm
	Altura 1.02mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor

La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.

Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes

• Certificación AEC-Q101

• Temperatura de unión hasta +175 °C

• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia

• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101