MOSFET Vishay, N-Canal SIHD3N50D-GE3, VDSS 500 V, ID 3 A, TO-252, Mejora de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 787-9143
- Referência do fabricante:
- SIHD3N50D-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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unitário (Em Tubo de 50)
35,90 €
- Código RS:
- 787-9143
- Referência do fabricante:
- SIHD3N50D-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 500 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 3 A | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 2.38 mm | |
| Longitud | 6.73 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 3.2 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V, -30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 104 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | D Series | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 500 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 3 A | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 2.38 mm | ||
Longitud 6.73 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 3.2 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V, -30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 104 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie D Series | ||
Anchura 6.22 mm | ||
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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