MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 58 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines
- Código RS:
- 783-3018P
- Referência do fabricante:
- STFW69N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 783-3018P
- Referência do fabricante:
- STFW69N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Encapsulado | TO-3PF | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 143nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 26.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Encapsulado TO-3PF | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 143nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 26.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- KR
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.