MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STFW69N65M5, VDSS 710 V, ID 58 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines
- Código RS:
- 783-3018
- Referência do fabricante:
- STFW69N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
13,28 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 25 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 4 | 13,28 € |
| 5 - 9 | 12,62 € |
| 10 - 24 | 11,36 € |
| 25 - 49 | 10,24 € |
| 50 + | 9,71 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 783-3018
- Referência do fabricante:
- STFW69N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Encapsulado | TO-3PF | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 143nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 26.7mm | |
| Anchura | 5.7 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Encapsulado TO-3PF | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 143nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 26.7mm | ||
Anchura 5.7 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- KR
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 58 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 130 A, Mejora de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1500 V, ID 4 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1500 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STY139N65M5, VDSS 710 V, ID 130 A, Mejora de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STFW4N150, VDSS 1500 V, ID 4 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STFW3N150, VDSS 1500 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 15 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines