MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
783-2924P
Referência do fabricante:
STF24N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

MDmesh M2

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.6mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

16.4mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics


Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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