MOSFET onsemi NTS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 1,37 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 780-4767P
Referência do fabricante:: NTS4101PT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 1,37 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 780-4767P
Referência do fabricante:: NTS4101PT1G
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,37 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-323
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	160 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.5V
Disipación de Potencia Máxima	329 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	1.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	6,4 nC a 4,5 V
Longitud	2.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.9mm

MOSFET onsemi NTS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 1,37 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor