MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTMS4177PR2G, VDSS 30 V, ID 11.4 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 780-4723
- Referência do fabricante:
- NTMS4177PR2G
- Fabricante:
- onsemi
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | NTMS | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 19mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión directa Vf | -1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4 mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie NTMS | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 19mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión directa Vf -1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4 mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
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