MOSFET onsemi NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, 4,6 A, WDFN de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 780-0655P
Referência do fabricante:: NTLJD3119CTBG
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, 4,6 A, WDFN de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:: 780-0655P
Referência do fabricante:: NTLJD3119CTBG
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,1 A, 4,6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	WDFN
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	120 MΩ, 200 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2,3 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Ancho	2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	3,7 nC a 4,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	2
Longitud	2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.75mm

MOSFET onsemi NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, 4,6 A, WDFN de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor