MOSFET, N-Canal onsemi NTD18N06LT4G, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
773-7875
Referência do fabricante:
NTD18N06LT4G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

NTD18N06L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15V

Disipación de potencia máxima Pd

55W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Anchura

6.22mm

Altura

2.38mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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