MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
761-4542
Referência do fabricante:
MTP3055VL
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-220

Serie

MTP3055VL

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.8nC

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Disipación de potencia máxima Pd

48W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.83 mm

Altura

16.51mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor


Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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