MOSFET de potencia MDmesh II, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB23NM50N, VDSS 500 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
761-0663
Referência do fabricante:
STB23NM50N
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia MDmesh II

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

MDmesh

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.19Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.75mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

10.4 mm

Altura

4.6mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N, 500 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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