MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 69 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 761-0635P
- Referência do fabricante:
- STW77N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal 5 unidades (fornecido em tubo)*
63,25 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 30 unidade(s) a partir do dia 05 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 5 - 9 | 12,65 € |
| 10 - 24 | 11,38 € |
| 25 - 49 | 11,09 € |
| 50 + | 10,80 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 761-0635P
- Referência do fabricante:
- STW77N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 69A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 38mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 185nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 400W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 69A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 38mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 185nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 400W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.