MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
761-0629P
Referência do fabricante:
STW20NM60FD
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

FDmesh

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

290mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

20.15mm

Anchura

5.15mm

Longitud

15.75mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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